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onsemi FQD7P06TM
| Artikelnummer: | FQD7P06TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi FQD7P06TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD7P06TM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 451mOhm @ 2.7A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Tc) Grundproduktnummer FQD7P06 FQD7P06TM Einzelheiten PDF [English] FQD7P06TM PDF - EN.pdf -
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